Кремний ЭЛ: различия между версиями

Материал из Русского эксперта
Перейти к навигации Перейти к поиску
Нет описания правки
Строка 7: Строка 7:


=== Советский период ===
=== Советский период ===
В 1947 году был изобретен точечный транзистор, и уже в течение десяти лет производство полупроводниковой электроники начали строить по всей территории Советского союза, в том числе девять предприятий в Брянской области. «Брянский завод полупроводниковых приборов» был заложен в 1958 году. За всю свою историю, предприятие пережило три основных этапа обновления производств: первый этап ознаменовался освоением планарных технологий, и переход с германиевых транзисторов на кремниевые, второй этап — освоение разработки и производства интегральных микросхем, третий этап — освоение производства ИС с проектными нормами 700 нм.
* '''В 1947 году''' был изобретен точечный транзистор, и уже в течение десяти лет производство полупроводниковой электроники начали строить по всей территории Советского союза, в том числе девять предприятий в Брянской области. «Брянский завод полупроводниковых приборов» был заложен в 1958 году. За всю свою историю, предприятие пережило три основных этапа обновления производств: первый этап ознаменовался освоением планарных технологий, и переход с германиевых транзисторов на кремниевые, второй этап — освоение разработки и производства интегральных микросхем, третий этап — освоение производства ИС с проектными нормами 700 нм.


1960-е годы стали периодом становления предприятия, создания цехов и отделов, формирования структуры управления. В 1960 г. завод изготовил первую промышленную партию германиевых транзисторов П20-21, к этому времени было создано опытно-конструкторское бюро для разработки новых полупроводниковых приборов.
* '''1960-е годы''' стали периодом становления предприятия, создания цехов и отделов, формирования структуры управления. В 1960 г. завод изготовил первую промышленную партию германиевых транзисторов П20-21, к этому времени было создано опытно-конструкторское бюро для разработки новых полупроводниковых приборов.


В 1968 году освоена планарная технология производства кремниевых транзисторов, а через три года — первых интегральных микросхем.
* '''В 1968 году''' освоена планарная технология производства кремниевых транзисторов, а через три года — первых интегральных микросхем.


В 1970-е годы завод интенсивно расширялся, введены новые производственные площади, расширилась социальная сфера. В 1974 году был выпущен 500-миллионный транзистор.
* '''В 1970-е годы''' завод интенсивно расширялся, введены новые производственные площади, расширилась социальная сфера. В 1974 году был выпущен 500-миллионный транзистор.


В 1975 г. за досрочное выполнение 9-й пятилетки, и вклад в развитие электронной промышленности завод был награжден орденом «Трудового Красного Знамени».
* '''В 1975 г'''. за досрочное выполнение 9-й пятилетки, и вклад в развитие электронной промышленности завод был награжден орденом «Трудового Красного Знамени».


В 1975 году завод начал серийный выпуск четырех полупроводниковых приборов, разработанных заводским ОКБ. Всего через 4 года специалисты этого ОКБ разработали первую собственную многофункциональную ИС. Подробнее об этих свершениях можно прочитать в книге «Жизнь как она есть», написанная руководителем предприятия Поручиковым И. Я. (директор с 1962 по 1980 г.).
* '''В 1975 году''' завод начал серийный выпуск четырех полупроводниковых приборов, разработанных заводским ОКБ. Всего через 4 года специалисты этого ОКБ разработали первую собственную многофункциональную ИС. Подробнее об этих свершениях можно прочитать в книге «Жизнь как она есть», написанная руководителем предприятия Поручиковым И. Я. (директор с 1962 по 1980 г.).


В 1987 году директором завода стал Иван Павлович Тимохин. При нем предприятие осваивало методики хозрасчета и самофинансирования, было создано ПО «Кремний», впервые было проведено комплексное техническое перевооружение промышленной базы, создано производство кристаллов кремния для ИС, впервые в отрасли были изготовлены силовые транзисторы на эпитаксиальных структурах диаметром 100 мм, началось производство изделий в пластмассовых корпусах.
* '''В 1987 году''' директором завода стал Иван Павлович Тимохин. При нем предприятие осваивало методики хозрасчета и самофинансирования, было создано ПО «Кремний», впервые было проведено комплексное техническое перевооружение промышленной базы, создано производство кристаллов кремния для ИС, впервые в отрасли были изготовлены силовые транзисторы на эпитаксиальных структурах диаметром 100 мм, началось производство изделий в пластмассовых корпусах.


=== Современный период ===
=== Современный период ===

Версия от 01:16, 6 марта 2018

Логотип ЗАО «Группа Кремний ЭЛ»

ЗАО «Группа Кремний ЭЛ» стабильно занимает второе место в России по выпуску микроэлектронных компонентов для Министерства обороны РФ. ЗАО «Группа Кремний ЭЛ» обладает полным циклом разработки и выпуска всех типов полупроводниковых приборов. Постоянными покупателями продукции являются более 700 предприятий, в том числе ведущие российские производители вооружений, такие, как: ОАО «Корпорация „Тактическое ракетное вооружение“», ОАО «Корпорация „Аэрокосмическое оборудование“», ОАО «Концерн ПВО „Алмаз-Антей“», ОАО «Концерн „Созвездие“», ОАО «Концерн радиостроения „Вега“» и др.

За период 2000—2015 гг. ЗАО «Группа Кремний ЭЛ» в восемь раз увеличило выпуск товарной продукции, на четверть обновило ее перечень. Ежегодно предприятие участвует в государственных целевых конкурсах на создание перспективной продукции. Затраты на НИОКР в 2014 году составили 8 % от выручки (общая выручка в 2014 году более 1,8 миллиарда р.). Объём заказов для Министерства обороны составил в 2017 году 94 % всей продукции предприятия.

История

Советский период

  • В 1947 году был изобретен точечный транзистор, и уже в течение десяти лет производство полупроводниковой электроники начали строить по всей территории Советского союза, в том числе девять предприятий в Брянской области. «Брянский завод полупроводниковых приборов» был заложен в 1958 году. За всю свою историю, предприятие пережило три основных этапа обновления производств: первый этап ознаменовался освоением планарных технологий, и переход с германиевых транзисторов на кремниевые, второй этап — освоение разработки и производства интегральных микросхем, третий этап — освоение производства ИС с проектными нормами 700 нм.
  • 1960-е годы стали периодом становления предприятия, создания цехов и отделов, формирования структуры управления. В 1960 г. завод изготовил первую промышленную партию германиевых транзисторов П20-21, к этому времени было создано опытно-конструкторское бюро для разработки новых полупроводниковых приборов.
  • В 1968 году освоена планарная технология производства кремниевых транзисторов, а через три года — первых интегральных микросхем.
  • В 1970-е годы завод интенсивно расширялся, введены новые производственные площади, расширилась социальная сфера. В 1974 году был выпущен 500-миллионный транзистор.
  • В 1975 г. за досрочное выполнение 9-й пятилетки, и вклад в развитие электронной промышленности завод был награжден орденом «Трудового Красного Знамени».
  • В 1975 году завод начал серийный выпуск четырех полупроводниковых приборов, разработанных заводским ОКБ. Всего через 4 года специалисты этого ОКБ разработали первую собственную многофункциональную ИС. Подробнее об этих свершениях можно прочитать в книге «Жизнь как она есть», написанная руководителем предприятия Поручиковым И. Я. (директор с 1962 по 1980 г.).
  • В 1987 году директором завода стал Иван Павлович Тимохин. При нем предприятие осваивало методики хозрасчета и самофинансирования, было создано ПО «Кремний», впервые было проведено комплексное техническое перевооружение промышленной базы, создано производство кристаллов кремния для ИС, впервые в отрасли были изготовлены силовые транзисторы на эпитаксиальных структурах диаметром 100 мм, началось производство изделий в пластмассовых корпусах.

Современный период

В перестройку и пост перестроечный период была сделана ставка на экспорт, и заводу пришлось выживать в условиях резкого падения объема военных заказов, огромного роста цен на материалы и электроэнергию, грабительских кредитов и налогов.

В 1995 году началось взаимодействие ПО «Кремний» с «Федеральный фонд развития электронной техники», заключено соглашение о сотрудничестве между Фондом и администрацией области, облегчившее налоговую нагрузку на предприятие. В этом же году производственное объединение реорганизовано в холдинг.

В начале 2000-х г. завод начал активнее заниматься разработкой и освоением принципиально новых изделий с целью расширения рыночной ниши своей продукции. На данном этапе предприятие, по сути дела, переживает очередную технологическую революцию — освоение производства ИС на 700 нанометров с использованием радиационно-стойкой БиКМОП-технологией.

В 2011 году впервые за постсоветский период предприятие выпустило изделий и оказало услуг более чем на 1 миллиард р., а в 2012 году — на 1,1 миллиарда р., в 2013 году — на 1,44 миллиарда р.

2014 год ЗАО «Группа Кремний ЭЛ» завершило с общим оборотом товарной продукции 2,2 миллиарда рублей, заняв по этому показателю первое место среди предприятий оборонной отрасли Брянской области. Предприятие заняло первое место в масштабе области по объему отчислений в бюджет и внебюджетные фонды — 474 миллиона рублей. В 2016 году объем производства ЗАО «Группа Кремний ЭЛ» превысил 2,5 миллиарда рублей, оказавшись по этому показателю на втором месте среди предприятий Брянской области после АО «Брянский автомобильный завод».

2017 г. Предприятие увеличило оборотный капитал на 44 %, достигнув общего объема производства 3,7 миллиарда р. (увеличение производства в единицах продукции соответствует росту в 2,2 раза). Начато освоение технологии производства микросхем по технологии 500 нм. [1]

Структура

ЗАО «Группа Кремний ЭЛ» включает следующие структурные подразделения:

— ЗАО «НТЦ СИТ»
— ОАО «КРЕМНИЙ»
— Производство «Энергомаш»
— Сборочное производство
— Кристальное производство
— ОАО «КОНСТАНТА»
— ЗАО «К-СНАБТРАНССЕРВИС»
— КТС «Дизайн-Центр»

Вся производственная база включает 42018 м2 площадей цеховых помещений. Общий штат сотрудников 1736 человек.

Продукция

Основная продукция включает более 50 типов транзисторов, более 200 моделей микросхем, а так же, диоды, тиристоры, диодные сборки, датчики различных типов, и др.

Кроме того, предприятия компании выпускают энергосберегающие светильники, оптические и ёмкостные датчики для систем освещения, люминесцентные лампы различного типа. Предприятие оказывает услуги энергоаудита других предприятий, монтажа и настойки оборудования для теплоснабжения и производства электроэнергии, разработку проектов энергосистем различного типа.

См. также

Ссылки


Источник — http:///index.php?title=Кремний_ЭЛ&oldid=198640