Ангстрем: различия между версиями

Материал из Русского эксперта
Перейти к навигации Перейти к поиску
Нет описания правки
Строка 7: Строка 7:


== Происхождение названия ==
== Происхождение названия ==
Изначально «Ангстрем» — это внесистемная единица измерения длины, равная 10<sup>−10</sup> м. На момент присвоения предприятию названия, самая точная экспериментальная электроника имела разрешение обработки кристаллов микросхем порядка 500-700 нм. Современная микроэлектроника достигает точности обработки порядка 12-18 нм (большая часть широко распространенных сегодня микросхем имеют точность обработки кристаллов порядка 40-90 нм). Уже в 1960-е годы небезосновательно полагали, что превышение точности обработки элементов микросхем выше 1 ангстрем (0,1 нм) позволит существенно усовершенствовать подход к проектированию и изготовлению всей микропроцессорной техники. Так как, исчезающие малые эффекты взаимодействия интегральных элементов микросхем, до этого недостаточно четко себя проявлявшие, станут доступны для изучения и целевого использования в новых разработках. То есть, в самом названии предприятия заложен прицел на отдаленное будущее, светлые перспективы бурного развития микроэлектронной техники Советского союза. Целью данного названия предприятия, являлось не только напоминание работникам предприятия о том, что они являются частью великого советского народа, но, и показать, сколь высоки и значимы цели их работы для будущего всего человечества.
Изначально «Ангстрем» — это внесистемная единица измерения длины, равная 10<sup>−10</sup> м или 0,1 нанометра (нм), в то время широко применявшаяся, в частности, при исследовании свойств кристаллических решёток. На момент присвоения предприятию названия, самая точная экспериментальная электроника имела разрешение обработки кристаллов микросхем порядка 500-700 нм. Современная микроэлектроника достигает точности обработки порядка 12-18 нм (большая часть широко распространенных сегодня микросхем имеют точность обработки кристаллов порядка 40-90 нм). Уже в 1960-е годы небезосновательно полагали, что превышение точности обработки элементов микросхем выше 1 ангстрем (0,1 нм) позволит существенно усовершенствовать подход к проектированию и изготовлению всей микропроцессорной техники. Так как, исчезающие малые эффекты взаимодействия интегральных элементов микросхем, до этого недостаточно четко себя проявлявшие, станут доступны для изучения и целевого использования в новых разработках. То есть, в самом названии предприятия заложен прицел на отдаленное будущее, светлые перспективы бурного развития микроэлектронной техники Советского союза. Целью данного названия предприятия, являлось не только напоминание работникам предприятия о том, что они являются частью великого советского народа, но, и показать, сколь высоки и значимы цели их работы для будущего всего человечества.


== История ==
== История ==

Версия от 16:59, 4 марта 2018

Логотип АО «Ангстрем»

Акционерное общество «Ангстрем» (официальное сокращённое наименование АО «Ангстрем») — одно из ведущих российских предприятий, занимающихся разработкой и производством полупроводниковых микроэлектронных приборов, от дискретных транзисторов до современных микроконтроллеров и микропроцессоров. Расположение — город Москва.

Компания обладает одним из самых мощных в России производственных комплексов по созданию и изготовлению полупроводниковых приборов: 10 дизайн-центров, более 1000 сотрудников, два производственных цеха с современными конвейерными линиями.

АО «Ангстрем» располагает промышленно-технологической базой, позволяющей проектировать и серийно производить интегральные микросхемы с минимальными технологическими допусками от 1 мкм до 0,6 мкм на пластинах размером до Ø150 мм в широком диапазоне технических решений. Производственная база «Ангстрем» включает в себя производство монокристаллов высокой степени очистки, сборочные конвейеры и научно-технический центр.

Происхождение названия

Изначально «Ангстрем» — это внесистемная единица измерения длины, равная 10−10 м или 0,1 нанометра (нм), в то время широко применявшаяся, в частности, при исследовании свойств кристаллических решёток. На момент присвоения предприятию названия, самая точная экспериментальная электроника имела разрешение обработки кристаллов микросхем порядка 500-700 нм. Современная микроэлектроника достигает точности обработки порядка 12-18 нм (большая часть широко распространенных сегодня микросхем имеют точность обработки кристаллов порядка 40-90 нм). Уже в 1960-е годы небезосновательно полагали, что превышение точности обработки элементов микросхем выше 1 ангстрем (0,1 нм) позволит существенно усовершенствовать подход к проектированию и изготовлению всей микропроцессорной техники. Так как, исчезающие малые эффекты взаимодействия интегральных элементов микросхем, до этого недостаточно четко себя проявлявшие, станут доступны для изучения и целевого использования в новых разработках. То есть, в самом названии предприятия заложен прицел на отдаленное будущее, светлые перспективы бурного развития микроэлектронной техники Советского союза. Целью данного названия предприятия, являлось не только напоминание работникам предприятия о том, что они являются частью великого советского народа, но, и показать, сколь высоки и значимы цели их работы для будущего всего человечества.

История

Силовые транзисторы, изготовленные АО «Ангстрем». Предназначены преимущественно для работы в блоках питания и системах управления производственного оборудования и транспортных средств.
  • 1963 год — 23 июня принято решение ГКЭТ о формировании НИИ-336 (будущий НИИ точной технологии и завод «Ангстрем»).
  • 1964 год — при НИИ-336 сформировано опытное производство, завод «Ангстрем».

Развернуть производство первого в мире миниатюрного радиоприемника «Микро», вслед за которым освоено производство моделей «Эра» и «Маяк». Созданы гибридных интегральные микросхемы «Тропа» и «Посол» для оборудования межпланетных космических станций.

  • 1973 год — начато производство чипов для микрокалькуляторов по CMOS-технологии, на основе которых было развернуто серийное производство первого отечественного микрокалькулятора «Электроника Б3-04».
  • 1974 год — принято в эксплуатацию первый в стране цех по серийному производству ЖК-индикаторов.

Разработан первый отечественный микропроцессор.

  • 1979 год — закончена разработка первой отечественной 16-разрядной микро ЭВМ.
  • 1984 год — развернут выпуск игры «Электроника» («Ну, погоди!»).
  • 1985 год — закончена разработка и развернуто серийное производство первого в мире 16-разрядного карманного ПК «Электроника-85».
  • 1988 год — создан первый отечественный 32-разрядный микропроцессор для массового производства.
  • 1998 год — предприятие вошло в ряд ведущих мировых производителей микросхем для электронных часов и калькуляторов (примерно 60 % и 80 % мирового рынка, соответственно).
  • 1999 год — развернуто производство микрочипов для смарт-карт.
  • 2000 год — запущено производство драйверов для ЖК-индикаторов промышленного и гражданского назначения.

8 февраля 2000 года, на День Науки, предприятие посетил Владимир Владимирович Путин. В книге почетных гостей В. В. Путин написал: «Без микроэлектроники не может быть эффективной промышленности и науки. Без „Ангстрема“ не может быть отечественной микроэлектроники…»

  • 2002 год — завершено создание элементной базы для комплектования изделий специального назначения в рамках реализации государственной программы. Все кассовые аппараты, используемые на территории Российской федерации, комплектуются микропроцессорными контроллерами АО «Ангстрем» (на основе кристалла банковской карты с криптозащитой фискальной памяти).
  • 2006 год — развернуто массовое производство силовых приборов, ОЗУ спецназначения «32К» и «БМК» спецназначения на 100 тыс. вентилей.
  • 2007 год — изготовлен 500-млн. кристалл для мобильных телефонов, выпущен 6-млрд. микрочип.
  • 2009 год — для ОАО «Российские железные дороги» разработана и внедрён в производство RFID метка с частотой 860 МГц для использования в системах идентификации вагонов.

Начато производство «MOSFET 500-800В» и LED драйверов. Осуществлена реорганизация и увеличена мощность производства кристаллов микросхем до 6000 пластин в месяц (диаметром до 150 мм).

  • 2010 год — впервые в России начато производство высоковольтных IGBT транзисторов и FRD диодов с напряжением до 2 киловольт.
  • 2011 год — разработан и внедрен в производство однокристальный бескорпусной RFID модуль, открывающий обширные возможности для внедрения технологии «Интернет вещей» (IoT).
  • 2012 год — разработаны и налажен выпуск 11-ти типов высоковольтных MOSFET и IGBT, и 3 типов FRD 1700В.
Микросхемы на конвейерной линии АО «Ангстрем»

К семейству производимых предприятием LED драйверов добавлена новая микросхема управления энергосбережением.

  • 2013 год — завершена разработка и начато коммерческое производство семейство изделий стандартной логики (аналоги иностранных FCT и LVC)
  • 2014 год — освоен выпуск новых LED драйверов, имеющих функцию TRIAC димминга и пассивный корректор мощности, а также семейство кристаллов IGBT для транзисторов с максимальным напряжением до 1700-6500 вольт, и высоковольтные модули IGBT с напряжением до 600—1700 вольт при токе 50-400А.
  • 2015 год — проведены работы по освоению выпуска изделий в современных пластмассовых корпусах. Данное решение внедрено как на новых разработках, так и на ранее освоенных изделиях: БМК серии 5516, АЦП серии 5023, операционных усилителях серии 1494, 140УД26, компараторах серии 1454, ИМС стандартной логики серии LVC 5524, силовых ключах и коммутаторах, схемах управления питанием, приборах силовой электроники и другие.
  • 2016 год — начаты поставки микросхем на заводы фирмы «Philips».
  • 2017 год — разработано более 70 новых интегральных микросхем. Поведены работы по модернизации производственных линий с целью повышения эксплуатационных свойств изделий за счет использования новых полимерных корпусов.

Разработан первый отечественный RFID-считыватель, работающий на сверхвысоких частотах. «Ангстрем» объединился с ОЭЗ «Зеленоград».

  • 2018 год — выполнена масштабный ОКР по созданию силовых транзисторов моноблочных и комбинированных схем.

Структура

— Кристальное производство
— Сборочное производство
— Центр микроэлектроники
— Испытательный центр.

Производство и продукция

Производство АО «Ангстрем» включает две линии для изготовления пластин из особо чистого кремния или карбида кремния. Далее из этих заготовок изготавливают кристаллы для микросхем или транзисторов, и заключают данные рабочие блоки в корпуса с токоотводящими выводами.

Сборочное производство включает три сборочные линии для поточного производства микросхем. Центр микроэлектроники располагает не только научно-технической базой для разработки новых изделий, но и включает малотиражное опытное производство широкого перечня микроэлектронной техники.

Завершает производственный цикл Испытательный центр, который не только выполняет функцию ЦЗЛ, но, так же, занимается научной работой по разработке и модернизации микроэлектроники. Кроме того, имеющиеся приборы позволяют проводить развернутый анализ параметров микросхем и др. электротехнических изделий любого типа.

Перечень продукции включает компоненты следующих групп:

  • Микросхемы высокой стойкости
    • Микросхемы запоминающих устройств
    • Базовые матричные кристаллы
    • Стандартная логика
    • Силовая электроника
Интегральная микросхема АО «Ангстрем» разработанная в 2017 году
  • Микросхемы управления питанием
    • Микросхемы управления питанием
    • LED-драйверы
    • ЖКИ-драйверы
  • Радиочастотная идентификация
    • RFID метки
    • RFID чипы
    • RFID считыватели
    • RFID карты
    • RFID системы
  • Силовые полупроводниковые приборы
    • IGBT-модули
    • FRD-модули
    • Дискретные MOSFET(P-channel)
    • Дискретные MOSFET(N-channel)
    • Дискретные IGBT
    • Дискретные FRD

См. также

Ссылки